美国政府拟为博世加州晶圆厂改造项目提供 2.25 亿美元补贴

据美国商务部消息，美国政府已与博世就一项《CHIPS》法案补贴签署初步备忘录，拟向博世的加州晶圆厂改造项目提供 2.25 亿美元（约 16.39 亿元人民币）直接资金和 3.5 亿美元（约 25.49 亿元人民币）贷款。

博世于 2023 年收购了 TSI Semiconductors，获得了TSI罗斯维尔晶圆厂的所有权，并计划将其改造为SiC碳化硅生产设施，预计2026年投入使用。

该加州罗斯维尔晶圆厂是博世在美国的首个半导体生产基地，改造项目总投资额达19亿美元（约 138.37 亿元人民币），将引入最先进的碳化硅生产工艺。美国商务部透露，该晶圆厂的全面运营有望生产博世大部分碳化硅半导体芯片，且占美国碳化硅器件总产能的40%以上。

除了直接资金和贷款外，博世还打算申请相当于合格资本支出额25%的先进制造投资抵免。

博世移动电子部门总裁Michael Budde表示：

在美国生产碳化硅芯片是我们加强半导体产品组合、支持当地客户的战略计划的重要组成部分。

碳化硅芯片有助于电池电动汽车（BEV）和插电式混合动力汽车（PHEV）实现更大续航里程和更高充电效率，从而为消费者提供更实惠的电动汽车选择。

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