2025 年度 IEEE ISSCC 学术会议日程公布，三星将介绍 4XX 层 3D NAND

IT之家近期报道，ISSCC官网发布了2025 IEEE ISSCC国际固态电路会议的日程安排。这次会议预计将于2025年2月16日至20日在美国加利福尼亚州旧金山举行。

来自业内的四位专家，包括英特尔CEO帕特・基辛格和三星电子DS部门存储器业务总裁兼总经理李祯培，将在2月17日的全体会议上发表演讲。帕特・基辛格将重点介绍人工智能领域的技术发展，而李祯培则将聚焦各类人工智能存储器及其发展。

具体的会议日程显示，SRAM、非易失性存储和DRAM专题将于2月19日进行。

在会议上，台积电将展示存储密度达到38.1 Mb/mm2的2nm Nanosheet工艺SRAM，而英特尔也将展示采用BSPDN背面供电设计的Intel 18A RibbonFET工艺高密度SRAM。

而在非易失性存储和DRAM领域，六个主题内容包括：

• 三星电子将带来28Gb/mm2密度的4XX层堆叠1Tb容量3D TLC NAND，该闪存采用晶圆键合技术，I/O引脚速率达5.6Gb/s（相当于5600MT/s），结合IT之家之前的报道，预计对应第10代V-NAND。

• 铠侠-西部数据联盟将介绍I/O引脚速率为4.8Gb/s的1Tb 3D TLC NAND产品，其读取操作能效提升了29%。

• 在GDDR7方面，三星电子将介绍42.5Gbps的24Gb产品，以应对今年10月宣布的成功开发。

• 三星电子还将展示第5代10nm级（1bnm、12nm级）工艺的超高速16Gb LPDDR5-Ultra-Pro DRAM，该产品的I/O引脚速率达12.7Gb/s，相较已经批量生产的10.7Gb/s有了进一步的提升。

• SK海力士将展示编程吞吐量为75MB/s的321层（V9）2Tb QLC NAND，这种堆叠数量和单元结构的闪存在今年8月的FMS 2024展会上已有亮相。

• SK海力士还与铠侠一同介绍他们合作开发的全新64Gb DDR4 STT-MRAM，该存储设备结合了交叉点存储和磁隧道结构。

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