三星 3D NAND 量产提效：光刻胶用量减半，每年节省数十亿韩元

IT之家最新消息，据韩媒The Elec报道，三星电子在3D NAND闪存生产方面取得了重大突破，成功大幅减少了光刻胶（PR）的使用量。

据IT之家援引消息源报道，以往每层涂层需要的光刻胶量为7-8cc，经过三星精确控制涂布机转速和优化PR涂层蚀刻工艺，现在仅需4-4.5cc。

另一个重要因素是三星采用更厚的氟化氪（KrF）光刻胶，通常一次工艺形成1层涂层，而采用更厚的光刻胶，三星可以一次形成多个层，提高了工艺效率。

然而，更厚的光刻胶也带来了生产挑战，由于光刻胶粘度高，在涂层工艺中可能导致均匀性问题。

三星与长期合作伙伴东进半导体化学公司自2013年开始紧密合作，共同研发高性能光刻胶。东进半导体一直是三星KrF光刻胶的唯一供应商，为三星第7代（11微米）和第8代（14微米）3D NAND提供关键材料。

据报道，从第9代3D NAND开始，三星将全面应用这一新技术，提高了生产效率，为三星每年节省数十亿韩元的成本。

同时，东进半导体将面临来自三星的订单减少，目前东进半导体每年约有2500亿韩元的收入来自光刻胶业务，其中60%来自三星。

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