消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合，进一步降低层间间隙

近日消息显示，三星电子、SK 海力士、美光等公司正在着手准备在未来的HBM4内存中采用无助焊剂键合（Fluxless Bonding）技术，这一技术备受关注。

SK 海力士已经宣布推出了16层堆叠HBM3E，预计HBM内存从HBM4开始将全面转向16层堆叠。由于混合键合技术尚不够成熟，传统的有凸块方案将继续是HBM4 16Hi的主流键合技术。

更多的DRAM Die层数意味着HBM4 16Hi需要进一步减小层间间隙，以确保总体堆栈高度保持在775μm（即0.775mm）的限制范围内。

面对这一现状，三大内存制造商都意识到现有HBM键合工艺中使用的助焊剂：助焊剂可清除DRAM Die表面的氧化层，确保键合过程中不受氧化层影响；然而，助焊剂残留会增加Die之间的间隙，导致整体堆栈高度增加。

据消息人士透露，三大HBM内存制造商对无助焊剂键合的准备程度各不相同：美光在与合作伙伴测试工艺方面最积极，SK 海力士正在考虑应用，而三星电子也在密切关注着这一进展。

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