IBM、Rapidus 展示多阈值电压 GAA 晶体管合作研发成果，有望用于 2nm 量产

据IBM官方透露，在2024 IEEE IEDM国际电子器件会议上，IBM和日本先进芯片制造商Rapidus展示了他们合作的最新研究成果，该项技术突破有望应用于Rapidus的2nm工艺量产，这是关于多阈值电压GAA晶体管的研究。

该研究表明，随着先进制程升级至2nm，晶体管的结构由传统的FinFET（鳍式场效应晶体管）转向了GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管），这也给工艺迭代带来了新的挑战：如何在低电压下实现多阈值电压，以便进行复杂计算。

2nm的制程下，N型和P型半导体通道之间的距离非常狭窄，需要精密的光刻技术才能实现多阈值电压，同时不对半导体性能产生重大影响。在此方面，IBM和Rapidus引入了两种不同的选择性减少层（SLR）芯片构建工艺，成功达到了预期效果。

IBM研究院高级技术人员Bao Ruqiang解释道：

与FinFET相比，Nanosheet纳米片的结构有很大不同，也许更为复杂。

我们提出的生产工艺相比过去更简单，我们相信这会让我们的合作伙伴Rapidus更轻松、更可靠地大规模应用2nm技术制造芯片。

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