制程反超三星，消息称 SK 海力士将为定制 HBM4 内存导入 3nm 基础裸片

据韩国媒体 hankyung 和 KED Global 的报道，SK 海力士计划将HBM4内存定制为使用台积电3nm工艺基础裸片，以满足美国大型科技企业如英伟达等的需求。

随着HBM内存的不断演进，基础裸片（也称为Base Die、Logic Die、Interface Die）的工作也变得更加复杂。到了HBM4代，基础裸片将采用逻辑半导体工艺，并支持客户定制电路，以提高AI半导体的运行效率。

SK 海力士的HBM4基础裸片将由台积电代工。之前，台积电展示过N12FFC+和N5制程设计，而3nm版本有望提升性能20%~30%。

据悉，SK 海力士的标准款HBM4将采用N12FFC+基础裸片，而定制产品计划从5nm升级至3nm制程。另外，三星电子的HBM4基础裸片将使用4nm制程。

SK 海力士之前表示将在2025年下半年推出首批HBM4产品，而三星电子的时间表大致相近。

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