突破 70%！消息称 SK 海力士 HBM4 测试良率再创新高，量产指日可待

据韩媒ETNews昨日发布的消息称，SK海力士的第6代12层堆叠高带宽内存HBM4测试良率已经达到了70%，为即将到来的量产阶段奠定了坚实基础，也预示着SK海力士在HBM4市场竞争中占据有利地位。

据IT之家了解，良率是衡量半导体良品比例的关键指标，直接关系到企业的市场竞争力。SK海力士的12层堆叠HBM4在2024年年底的良率已经达到60%，而最新消息称测试良率已经提升至70%，进展迅速。

据称SK海力士HBM4的进展得益于其第五代10nm级DRAM（1b）的应用，该技术在性能和稳定性方面已得到验证，并且也应用于SK海力士的HBM3e产品。

有消息称，鉴于HBM3E曾经实现80%的目标良率并缩短了50%的量产时间，业内人士预测HBM4 12层堆叠产品也将快速进入量产阶段。SK海力士目前已完成内部技术开发和评估，即将提供样品进行客户性能测试，通过后即可启动量产。

12层堆叠HBM4有望部署在代号为英伟达下一代AI加速器“Grace Hopper”系列中，而此前曝料称英伟达计划提前至2025年下半年量产“Grace Hopper”系列，这可能促使SK海力士进一步加快提升HBM4良率和量产进程，以满足客户需求。

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