泛林推出全球首型钼原子层沉积设备 ALTUS Halo，已获美光等企业早期应用

IT之家 2 月 21 日报道，半导体设备巨头泛林集团 Lam Research 美国加州当地时间 19 日宣布推出全球首款钼（Mo）原子层沉积设备 ALTUS Halo；这台设备在逻辑半导体和 3D NAND 领域有着早期应用。

过去 20 年里，在芯片金属布线和元器件互联等半导体工艺中，钨（W）一直以其出色的沟槽填充性能而闻名。

然而，随着半导体工艺的发展，钨电阻高的缺点开始显现，于是具有出色沟槽填充和电阻性能的钼成为布线工艺中的新宠。ALTUS Halo 设备便是泛林在这方面的创新。

泛林集团高级副总裁兼全球产品集团总经理 Sesha Varadarajan 表示：

ALTUS Halo 基于泛林深厚的金属化专业知识，是原子层沉积领域 20 年来的重要突破：

它结合了泛林的四站模块架构和 ALD 技术的最新进展，为大规模生产提供了工程化的低电阻率钼沉积，满足了新兴、未来芯片变革（包括千层 3D NAND、4F² DRAM、先进 GAA 逻辑电路）的关键需求。

美光负责 NAND 开发的公司副总裁 Mark Kiehlbauch 表示：

钼金属化的集成使美光能够率先推出最新一代 NAND 产品中的领先 I/O 带宽和存储容量。泛林的 ALTUS Halo 设备让美光得以实现大规模钼沉积生产。

除了 ALTUS Halo 外，泛林同时推出了采用固态等离子体源的等离子体蚀刻设备 Akara；这种设备生成的等离子体响应速度提高了 100 倍，支持创建更高纵横比的超高精度蚀刻，形成复杂的 3D 结构。

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