4.8 Gb/s、332 层堆叠！铠侠携手闪迪革新 3D 闪存技术，性能功耗双突破

IT之家 2 月 20 日报道称，铠侠（Kioxia）与闪迪（SanDisk）合作，在 2025 年 IEEE ISSCC 学术会议上推出全新的3D闪存解决方案，旨在满足AI应用需求，进一步提升NAND接口速度至4.8 Gbps。

这款3D闪存解决方案采用了Toggle DDR6.0接口标准和SCA协议，使NAND接口速度达到4.8Gb/s，比第八代产品提升33%。

此外，该解决方案还具备功耗低、密度高等优点。功耗低是通过PI-LTT技术实现，成功降低了数据输入/输出功耗，输入功耗降低了10%，输出功耗降低了34%。

未来，铠侠和闪迪还展望了第九代和第十代3D闪存产品。第九代产品将采用CBA技术，结合现有存储单元技术和新CMOS技术，实现高性价比。而第十代产品则将进一步提升容量、速度和功耗表现，以满足数据中心和AI应用的需求。

CBA技术的核心在于结合CMOS创新与成熟的存储单元设计，为用户提供既高性能又低功耗的经济解决方案。

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