美光首席财务官 Mark Murphy：12Hi HBM3E 内存即将放量

IT之家 2 月 17 日报道指出，美光首席财务官 Mark Murphy 在参加 Wolfe Research 分析机构会议时透露，公司即将大规模生产 12 层堆叠 HBM 内存产品（12Hi HBM3E）。

据悉，美光的 12Hi HBM3E 内存产品不仅具有 1.5 倍竞争对手产品的存储容量，还比竞品的功耗低 20%。

Mark Murphy 指出，尽管三星电子在 HBM 领域可能遇到困难，但美光的目标是在 HBM 领域取得与整体 DRAM 相当的市场份额（即 20%）。此外，HBM 产能的提升也将有助于改善美光的整体财务状况。

对于 NAND 闪存市场，Mark Murphy 认为整体处境仍然疲软，因此美光决定减缓制程迁移的速度（例如升级至最新 G9 278 层节点），以相对降低供应能力，促进库存消化。预计到 2025 年，市场将逐步好转。

在财务方面，Mark Murphy 预测美光在 2024 财年第三季度（截至 2025 年 3 月底）的毛利率将略有下降，这主要是由于客户端出货规模扩大、产品价格下降以及整体 NAND 市场形势所致。

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