英伟达被曝研发 SOCAMM 内存：高性能、低功耗，694 个 I/O 端口突破 AI 计算瓶颈

据 IT之家 2 月 18 日报道，科技新闻网站 WccFTech 于 2 月 17 日发布了一篇博文，指出英伟达正在全力开发一种新型内存模块，命名为“SOCAMM”，该模块旨在为 Project DIGITS 及其它个人 AI 超级计算机带来显著的性能提升。

SOCAMM 模块的设计具备紧凑的体积和更低的能耗，同时还拥有更强的性能，有望成为内存领域的新的增长动力。目前，英伟达正与三星电子、SK 海力士及美光等内存制造商共同进行 SOCAMM 原型的性能评测，预计年内可实现量产。

根据 IT之家引用的博文，SOCAMM 模块的 I/O 端口数量最高达到 694 个，远超传统 PC DRAM 和 LPCAMM，有效缓解了处理器与内存间数据传输的瓶颈问题。

在确保高效能的同时，SOCAMM 还具有更低的功耗和更高的成本效益，其可拆卸设计使得用户能轻松进行升级和更换，延长设备的使用寿命。此外，模块的小巧体积使得制造商能够在其中整合更多的 DRAM，从而提升内存容量。

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