消息称长江存储开始出货第五代 3D TLC NAND 闪存，总层数达 294 层

根据外媒 Tom's Hardware 的报道，IT之家在1月31日获悉，长江存储已经开始供应其新推出的第五代3D TLC NAND闪存，这款闪存拥有294层结构以及232个有源层。

报道指出，长江存储在其闪存产品中采用了Xtacking 4.0架构（IT之家注：晶栈4.0），这项技术使用了混合键合工艺，将闪存阵列与CMOS逻辑及接口紧密连接，从而极大提升了存储密度与I/O性能。

具体来说，第五代长江存储3D TLC NAND闪存的位密度已超过20Gb/mm²，与铠侠和西部数据的BiCS8 QLC NAND闪存的22.9Gb/mm²相比，略有差距。

另外，外媒称，长江存储现已成功将产品的闪存密度提升至行业认可的标准，成为了全球NAND市场中的一位强有力竞争者。

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