泛林公布干式光刻胶进展：可在逻辑半导体后道工艺实现 28nm 间距直接图案化

据悉，泛林集团 Lam Research 宣布其干式光刻胶技术已成功通过 imec 认证。这一技术可在逻辑半导体后道工艺（即 BEOL，互联层制作）中实现 28nm 间距的直接图案化，同时能够满足 2nm 及以下先进制程的需求。

目前，常用于先进制程的光刻胶是基于化学放大原理的湿式旋涂光刻胶。相较之下，泛林的干式光刻胶是由小于 0.5nm 的金属有机微粒单元气相沉积而成。

据泛林宣称，其干式光刻胶具有更出色的光子捕获能力，且光刻胶层的厚度更易于调控。这种新型光刻胶能够克服欧洲紫外光刻（EUV）领域的曝光剂量和缺陷率之间的矛盾，同时比传统湿化学光刻胶更环保。

泛林干式光刻胶已经成功验证其在后道工艺中实现图案化的能力，验证是在 0.33（低）NA 欧洲紫外光刻机上进行的，未来有望在逐步投入使用的 0.55（高）NA EUV 光刻平台上扩展应用。

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