消息称三星电子已将 1c nm 内存开发良率里程碑推迟半年，恐影响 HBM4

IT之家最新消息显示，据韩国媒体MoneyToday报道，三星电子将其1c纳米DRAM内存的良率关键时间推迟至2025年6月，延迟了半年。这一调整可能会对三星的HBM4内存计划产生影响。

原计划在2024年年底前将1c纳米制程DRAM的良率提升至70%，以满足进入量产阶段所需水平。然而，三星发现尽管去年底成功制造出1c纳米DRAM晶粒，但整体良率仍无法达到要求。

此前，三星在2022年10月完成了1b纳米内存的开发，并于2023年5月开始量产；若1c纳米的开发工作在今年中结束，量产时间将推迟至2025年底，这意味着两代DRAM工艺之间的间隔将达到约2.5年，明显长于业界通常的1.5年开发周期。

另外，三星的两大竞争对手中，SK海力士已经宣布于2024年8月取得了1c纳米进展，而美光的计划是在今年4月完成开发；可以预见，三星有可能成为最后一家正式宣布1c纳米DRAM的三大原厂。

1c纳米DRAM的推迟也将对后续内存产品的进度产生影响，尤其是对于三星在HBM4上的重返市场领导地位的期望。三星原本计划在2025年开始量产基于1c纳米DRAM和4纳米逻辑芯片的HBM4，以技术优势领先竞争对手。

业内知情人透露，三星电子正在调整1c纳米DRAM的设计，并且加快开发进度。

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